قلعه صيانه الماذر بورد و اللاب توب
عزيزي الزائر / عزيزتي الزائرة يرجي التكرم بتسجبل الدخول اذا كنت عضو معنا
او التسجيل ان لم تكن عضو وترغب في الانضمام الي اسرة المنتدي
سنتشرف بتسجيلك
شكرا
ادارة المنتدي



اخى الكريم جميع المعلومات موجوده هنا



دوره صيانه اون لاين للمازربورد و اللاب توب دروس ومحضرات صوت وصوره اون لاين مع المهندس/محمد طمان



الموقع الرسمى
tamancenter عالم بلاحدود
دروس محضرات فديو مجانيه



اول موقع عربى متخصص فى تعلم صيانه المازربورد و اللاب توب مجاناً دروس فديو ومحضرات تعلم صيانه الكمبيوتر تابع اخبار الانترنت و الربح المادى من الانترنت

قلعه صيانه الماذر بورد و اللاب توب

احترف معنا صيانه المازربورد و الاب توب و الهارد ديسك
 
الرئيسيةالبوابةس .و .جبحـثالأعضاءالتسجيلدخول
نحيط علم سيادتكم بانة تم الانتهاء من الموقع الجديد الخبير | Th3expert http://th3expert.net/ منتدى خاص للدعم الفنى و الشروحات مدونه بها العديد من الشروحات و المواضيع المهمه ندعوك للتسجيل معنا فى الموقع لنكون على تواصل دائم رابط التسجيل فى الموقع http://th3expert.net/profile/register/ لمذيد من المعلومات يمكنك تفقد الموقع بنفسك نتمنى لك التوفيق ويسعدنا ان تكون معنا مع تحيات المهندس / محمد طمان

شاطر | 
 

 الترانزستور NPN

استعرض الموضوع السابق استعرض الموضوع التالي اذهب الى الأسفل 
كاتب الموضوعرسالة
كريم
عضو جديد
avatar

عدد المساهمات : 17
المستوى : 5407
السٌّمعَة : 2
تاريخ التسجيل : 28/09/2012

مُساهمةموضوع: الترانزستور NPN    الجمعة سبتمبر 28, 2012 9:26 pm

الترانزستور " سالب-موجب-سالب" The NPN Transistor

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

الشكل العلوى يوضح بناء وجهود أطراف الترانزستور NPN . الجهد بين القاعدة والمشع ( VBE ) يكون الموجب عند القاعدة والسالب عند المشع لأن الترانزستور نوع NPN , جهد القاعدة يكون دائما موجب بالنسبة لجهد المشع . أيضا يكون مصدر جهد المجمع موجب بالنسبة لجهد المشع ( VCE ) . لكى يتم توصيل الترانزستور NPN يجب أن يكون المجمع دائما أكبر إيجابية بالنسبة لكل من القاعدة والمشع .

توصيل الترانزستور NPN
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

يتم توصيل مصادر الجهد كما هو موضح بالشكل العلوى . يتم توصيل المجمع بمصدر الجهد VCC من خلال مقاومة الحمل RL , والتى تعمل أيضا فى تحديد أقصى تيار يمر خلال الترانزستور. يتم توصيل جهد مصدر القاعدة VB إلى مقاومة القاعدة RB , والتى أيضا تسنخدم لتحديد أقصى تيار للقاعدة .
نحن نعرف أن الترانزستور جهاز يعمل بالتيار ويمر تيار كبير ( Ic ) خلال الجهاز بين أطراف المجمع والمشع عندما يكون الترانزستور موصل بالكامل . مع ذلك يحدث هذا فقط عندما يمر تيار انحياز صغير ( Ib ) خلال طرف القاعدة فى نفس الوقت ومن ثم يسمح للقاعدة بالعمل كمصدر تحكم بتيار الدخل .
تيار الترانزستور من النوع NPN هو النسبة بين هذين التيارين ( Ic/Ib ) , يسمى "كسب التيار للتيار المستمر" للجهاز DC Current Gain ويرمز له بالرمز hfe أو حاليا بالحرف "بيتا" Beta, ( ) . قيمة يمكن أن تكون كبيرة حتى 200 للترانزستورات القياسية , وهذه النسبة المرتفعة بين Ic و Ib هى التى تجعل من الترانزستور NPN جهاز تكبير مفيد عندما يستخدم فى منطقته الفعالة حيث يمثل Ibالدخل ويمثل Ic الخرج . لاحظ أن بيتا ليس لها وحدات لأنها نسبة .
أيضا , كسب التيار للترانزستور من طرف المجمع إلى طرف المشع Ic/Ie يسمى "ألفا" Alpha, ( ) وهو دالة للترانزستور نفسه ( إنتشار الإلكترونات عبر الوصلة) . وحيث أن تيار المشع Ie هو نتيجة تيار القاعدة مضافا إليه تيار المجمع الكبير فإن قيمة ألفا تكون قريبة جدا من الوحدة , حوالى 0.950 to 0.999لترانزستور اللإشارة ذات القدرة المنخفضة .



العلاقة بين ألفا و بيتا للترانزستور and Relationship in a NPN Transistor


[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

بتجميع البارامتران و يمكننا الحصول على صيغ تعطى العلاقة بين التيارات المختلفة التى تمر خلال الترانزستور .

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

قيم تتراوح بين 20 لترانزستورات القدرة ذات التيار المرتفع و 1000 لترانزستورات القدرة المنخفضة والتى تعمل فى الترددات المرتفعة . يمكن الحصول على القيمة الفعلية لبيتا من الداتا شيت الخاصة بالترانزستور المستخدم .
من معادلة بيتا يمكن استنتاج أنه عندما يكون تيار القاعدة بصفر ( Ib = 0 ) سوف يكون تيار المجمع الناتج بصفر أيضا ( x 0 ) . أيضا عندما يكون تيار القاعدة مرتفع فإن تيار المجمع المناظر سوف يكون أيضا مرتفع أى أن تيار القاعدة يتحكم فى تيار المجمع . أحد أهم خصائص الترانزستور ثنائى القطبية هو أنه بتيار قاعدة صغير يمكن التحكم بتيار أكبر بالمجمع . المثال التالى يوضح ذلك .
مثال 1 :
ترانزستور NPN له كسب تيار للتيار المستمر (Beta) بالقيمة 200 . إحسب تيار القاعدة المطلوب لتوصيل تيار 4mA لحمل أومى resistive load .
الحل :
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

شىء آخر يجب أن تتذكره حول الترانزستور NPN . جهد المجمع ( Vc ) يجب أن يكو أكبر من وموجب بالنسبة لجهد المشع ( Ve ) للسماح بمرور التيار خلال الترانزستور بين وصلات المجمع – المشع .
أيضا يوجد هبوط فى الجهد بين أطراف القاعدة والمشع حوالى 0.7v ( تناظر هبوط جهد لدايود واحد ) لأجهزة السليكون لأن خصائص الدخل للترانزستور NPN تمثل دايود ذات انحياز أمامى . نتيجة لذلك يجب أن يكون جهد القاعدة ( Vb ) للترانزستور NPN أكبر من القيمة 0.7V وإلا فإن الترانزستور لن يتم توصيله بتيار القاعدة الذى يعطى بالعلاقة :
[img][ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]
حيث :
Ib : هو تيار القاعدة .
Vb : جهد انحياز القاعدة المستمر DC .
Vbe : هبوط الجهد بين بين القاعدة والمشع (0.7v) .
Rb : مقاومة دخل القاعدة .
زيادة Ib يؤدى إلى زيادة Vb ببطىء حتى 0.7V لكن Ic يزداد أسيا .
مثال 2 :
ترانزستور NPN له جهد انحيار قاعدة مستمر Vb بالقيمة 10V ومقاومة دخل القاعدة Rb بالقيمة 100Kω . ما هى قيمة تيار القاعدة الداخل إلى الترانزستور .
الحل :
[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]
الرجوع الى أعلى الصفحة اذهب الى الأسفل
 
الترانزستور NPN
استعرض الموضوع السابق استعرض الموضوع التالي الرجوع الى أعلى الصفحة 
صفحة 1 من اصل 1

صلاحيات هذا المنتدى:لاتستطيع الرد على المواضيع في هذا المنتدى
قلعه صيانه الماذر بورد و اللاب توب  :: الالكترونيات :: شروحات الالكترونيات العام-
انتقل الى: